接著上面的文章繼續(xù)來了解全壓電源設(shè)計方案，具體的要有以下方面來了解了。相對于傳統(tǒng)線性電源，開關(guān)電源擁有體積小、重量輕、效率高等與生俱來的優(yōu)勢。研究成本低廉、性能可靠、兼容性強的開關(guān)電源成為眾多開關(guān)電源設(shè)計工程師不斷努力的目標。針對大功率開關(guān)電源提出一種無APFC的低成本全電壓設(shè)計方案，該方案使用自動倍壓方式有效減小火牛直流輸入電壓的范圍，從而大大降低開關(guān)電源成本。

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及原理
高壓開關(guān)電源基本指標：額定輸出1200W,峰值功率2400W;輸入電壓可AC100-127V和220-240V;輸出電壓為DC160V.系統(tǒng)滿足全球電壓兼容的同時，兼具備低于0.3瓦的超低待機功耗能力。
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
整機系統(tǒng)可分為主電源部分用來給功放部分提供電力。輔助電源提供初級控制電路和次級控制電路使用?？刂破?span>用來實現(xiàn)自動電壓識別及倍壓功能，同時結(jié)合MCU實現(xiàn)遙控喚醒系統(tǒng)功能。AC轉(zhuǎn)DC的整流部分，輔助開關(guān)電源與主開關(guān)電源設(shè)計成獨立供電方式。在待機模式中輔助電源脫離主電源整流部分，這樣為低待機功耗提供了硬件基礎(chǔ)。

主開關(guān)電源設(shè)計
主開關(guān)電源采用移相全橋拓撲。全橋電路易于實現(xiàn)大功率的輸出，而移相全橋作為全橋電路的改良版本，在整機效率方面更具備優(yōu)勢。橋式電路中串入諧振電感，諧振電感與MOS管的寄生輸出電容Coss之間諧振。從而在MOS管開啟之間使得DS端電壓為零，實現(xiàn)零壓開啟。因為實現(xiàn)了MOS管的零壓開啟，降低了驅(qū)動電路以及MOS管Qg常數(shù)的要求，使得器件成本也隨之降低。使用雙象可控硅作為倍壓開關(guān)。單向可控硅可斷開整個主電源的供電。當可控硅完全斷開時，整個主電源電路上所有器件均無電流環(huán)路，除去可控硅本身極小的漏電流，主電路無功耗損失。

開關(guān)電源之倍壓結(jié)構(gòu)和原理
倍壓方式與手動倍壓原理一致，當交流電壓處于1、2象限時，電流流向為（紅色軌跡）：AC+ -> D1 -> CAP1 -> K -> AC-,電源給給電容CAP1充電，其電壓將達到交流峰值；當交流電壓處于3、4象限時，電流流向為（綠色軌跡）：AC- -> K -> CAP2 -> D4 -> AC+.,電源給電容CAP2充電，其電壓也將達到交流峰值。因此，整流后的電壓將會雙倍于開關(guān)斷開狀態(tài)的電壓。

AC輸入電壓為AC100V-127V和AC220V-240V.由公式可知整流輸出后電壓范圍為：
DC283-DC360V.充分考慮器件分壓：如電容ESR、開關(guān)管壓降、EMI器件壓降，可以認為在重載情況下整流導通約為60度，電壓取值可以認為在：DC245V-DC360V.相對于普通全壓電源電壓取值范圍（將達到：DC122-DC360V）有大幅度衰減。

輔助開關(guān)電源
輔助電源采用反激RCD拓撲。輔助電源為所有控制電路提供電力，由于整體要求功耗低于15W,選用反激拓撲結(jié)構(gòu)的集成方案實現(xiàn)。無論在體積和成本控制均為理想的選擇。集成方案中常引入了‘打嗝’模式很容易將功耗控制在0.3W以內(nèi)。

控制電路

過零邏輯電路、倍壓邏輯電路、可控硅驅(qū)動電路等組成控制電路。由于使用單向可控硅和雙向可控硅相結(jié)合可以切斷整流后級電路（包含濾波電容），理論上后級電路零功耗。